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2015年10月10日 震災から復旧 米沢高等工業学校本館
【出版物】 Investigation of AlF3 doped ZnO thin films prepared by RF magnet…
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ID⇒#1851@出版物;
要約【出版物】Boen Houng,Hらは2012年にInvestigation of AlF3 doped ZnO thin films prepared by RF magnetron sputteringについてと述べており、フッ化アルミ二ウムの比誘電率について述べている⇒#1851@出版物;。
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タイトルInvestigation of AlF3 doped ZnO thin films prepared by RF magnetron sputtering
Title
代替書誌情報ceramics international
著者名Boen Houng,Han Bin Chen
雑誌名ceramics international
Journalauther, jounarl, vo., pp.(yyyy)
巻、号、ページ38,1,0~0
出版年2012
URL
研究グループ
レビューアYZDN\tyn14363/
書誌情報Investigation of AlF3 doped ZnO thin films prepared by RF magnetron sputtering
Boen Houng,Han Bin Chen, ceramics international,38,0(2012).
書誌情報(日本語)Investigation of AlF3 doped ZnO thin films prepared by RF magnetron sputtering
Boen Houng,Han Bin Chen, ceramics international,38,0(2012).
書誌情報(英語)
, auther, jounarl, vo., pp.(yyyy),38,0(2012).
材料フッ化アルミ二ウム
物理量比誘電率
説明